发布时间2022-05-31,由cyanbat发布 | 关键词:ATR机箱

加固ATR机箱电磁屏蔽的原理

加固ATR机箱作为一种电子设备,对电磁屏蔽性能有很高的要求。通过电磁屏蔽理论的分析和研究,探讨如何在结构工艺上保证机箱的电磁屏蔽性和抑制电磁干扰的有效措施。

一个屏蔽体具有3种哀减作用:

① 因为空气于金属交界阻抗的不相同而使得人射能量被屏蔽体表面所反射,称反射损耗R;

② 当人射能量通过屏蔽体时被吸收哀减,称吸收损耗A;

③ 当入社能量通过屏蔽体内部,到达屏蔽体另一面,由金属与空气交界阻抗不同引起的反射哀减,称多重反射损耗B。

所以屏蔽的计算公式为:

SE=A+R+B

其中发射损耗与电磁波的波阻抗和屏蔽体的特征阻抗有关,而吸收损耗中趋肤深度则是一个关键因素。反射损耗(近场)的大小取决于电磁屏蔽产生源的性质以及与波源的距离和屏蔽体的阻抗为:

R(电)=lg(4500/D*f#Zs)

R(磁)=20lg(2*D#f/Zs)

而|Zs|=3.68*(f*u/6)1/2/100000000,远场为R=20lg(377/4*Zs)

吸收损耗则与屏蔽体的磁导率、电导率及电磁波的频率有关。

A=3.34(f x 6 x i)1/2 x i。

校正因子仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于10dB的情况。另外有一点必须说明,由于屏蔽体吸收效率不高,其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能力增加,所以校正因子可能是个负数,表示屏蔽效率的下降情况。

B=20lg[1-exp(2t/6)]

式中,A为吸收损耗(dB);R为反射损耗;B为校正因子;f为电磁屏蔽频率(MHz);i为相对导磁率,6位相对导电率;t为屏蔽罩厚度;D为波源与屏蔽之间的距离;Zs为屏蔽体阻抗。

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文章来源:@青蝠科技   作者:@cyanbat


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